Морозов Валерий Борисович (vsounder) wrote in science_freaks,
Морозов Валерий Борисович
vsounder
science_freaks

Полна кафедра фриков

: МУЛЬТИЭЛЕКТРОН – ОСНОВА СВЕРХПРОВОДИМОСТИ
 
      Предполагается, что носителем заряда при сверхпроводимости  является отдельная частица – мультиэлектрон,  состоящий из двух или более электронов, находящихся в связанном состоянии. Мультиэлектрон образуется в промежутке узлового пространства кристаллической решетки, при существенном сближении электронных орбит валентных электронов атомов. Существенное  сближение (на расстояние < 0,5 радиуса атома водорода) орбит (волновых функций) электронов может возникнуть, например, в случае сжатия при охлаждении тела, когда расстояния между атомами в узах решетки уменьшаются. Электроны рассматривают с противоположно направленными спинами, когда, согласно принципу Паули, между ними возможно сближение и возникновение  связанного состояния с общим спином равным нулю.    
        Принимается, что между электронами действуют обменные зарядонезависимые силы притяжения, аналогичные силам притяжения  Юкавы для нуклонов внутри ядра атома.   На основании этого рассчитывают взаимодействие   электронов в результирующем поле сил, определяемом как потенциалом Юкавы, так и потенциалом Кулона. В этом случае силы Кулона для электронов, имеющих  одинаковый по знаку заряд,  являются отталкивающими силами.
     при образовании мультиэлектрона кинетическая энергия его составляющих  электронов переходит во вращательную энергию вокруг их общей оси и компенсируется  потенциальной энергией притяжения Юкавы. Притяжение, также как и в случае нуклонов, обеспечивается путем обменного взаимодействия двух электронов между собой с помощью третьей частицы, имеющей массу mx и сооставлящей около 5% от массы электрона. Такой вид обмена между электронами возможен, поскольку масса элементарных частиц имеет электромагнитное происхождение.     Таким образом, мультиэлектрон по отношению к окружающим атомам кристаллической решетки имеет нулевые момент, спин и отрицательный заряд .
     Мультиэлектрон, после своего возникновения,  находится в состоянии  электростатического взаимодействия с положительно заряженными дырками в валентных оболочках атомов, отдавших свои электроны для образования мультиэлектрона и электронными оболочками окружающих атомов. При наложении электрического поля проиходит разделение мультидырок и мультиэлектронов и, таким образом, имеем  СП электрический ток. Эта схема подтверждена экспериментами с  Sr-Nd-Cu-O от 40 до 300 K.
 Все эти соображения также подтверждены прямыми измерениями электронного спектра, массы, спина и размеров мультиэлектрона. В результате удалось обобщить известные теории сверхпроводимости и установить необходимые расчетные параметры размеров кристаллической решетки и электронной концентрации влоть до 600 К.
Впервые расчетным и экспериментальным методом получены многощелевые ВТСП.
Просим прощения за столь длинное изложение сути дела


Хорошавин Лев Борисович, доктор технических наук
Щербатский   Виктор  Борисович
кандидат технических наук,
доцент
Якушина Евгения Валерьевна

Subscribe
  • Post a new comment

    Error

    Anonymous comments are disabled in this journal

    default userpic

    Your reply will be screened

    Your IP address will be recorded 

  • 9 comments